| 型号： | ZDT649TC | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR DUAL NPN SOT223-8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| ZDT649TC PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大 | 2.75W |
| 频率 - 转换 | 240MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装 | SM8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |